高溫反偏試驗系統(tǒng)

高溫反偏試驗（High TemperatureReverse Bias）,簡稱HTRB，是一種用于評估半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下耐受反向偏壓能力的重要測試方法。這種測試通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二極管（DIODE）、雙極型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）以及GaN等寬禁帶半導(dǎo)體器件。HTRB測試的目的是模擬器件在實際應(yīng)用中可能遇到的高溫和高電壓應(yīng)力，以評估其長期穩(wěn)定性和可靠性。

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產(chǎn)品詳情

在HTRB測試中，器件會被施加一個持續(xù)的反向電壓，并且這個電壓會高于器件正常工作時的電壓水平。同時，器件的溫度會被控制在高于其額定工作溫度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的溫度。這種高溫條件可以加速器件的老化過程，使得測試在相對較短的時間內(nèi)完成，從而更快地評估器件的長期性能。

HTRB測試的關(guān)鍵參數(shù)包括：

1. 測試電壓：根據(jù)器件的類型和等級，施加的反向電壓會有所不同。

2. 測試溫度：高溫條件通常設(shè)置在器件的額定工作溫度之上，以加速老化過程。

3. 時間：HTRB測試可以持續(xù)數(shù)小時、數(shù)天甚至數(shù)周，以確保足夠的時間來評估器件的長期穩(wěn)定性。

4. 漏電流監(jiān)控：在整個測試期間，漏電流會被連續(xù)監(jiān)控，以確定其是否隨時間增加而超出可接受的水平。

5. 失效判定：如果漏電流超過預(yù)定的失敗閾值，或者器件出現(xiàn)其他明顯的性能退化，測試將被判定失敗。

標(biāo)準(zhǔn)符合性
本系統(tǒng)試驗線路及功能符并滿足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標(biāo)準(zhǔn)試驗要求。
系統(tǒng)適用性
系統(tǒng)能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管/模塊等半導(dǎo)體分立器件的高溫偏置試驗(HTRB/HTGB)和老化篩選。該系統(tǒng)一體化程度高，結(jié)構(gòu)緊湊，內(nèi)部試驗通道與通道間隔增大，適用于辦公樓或場地較為緊張的實驗室內(nèi)使用。
試驗區(qū)域和試驗通道
系統(tǒng)分區(qū)	整機每個電源試驗區(qū)均可試驗不同批次不同輸入電壓的產(chǎn)品；
單區(qū)控制	每個電源試驗區(qū)可以單獨控制啟動、暫停、繼續(xù)、停止運行，互不干擾；
設(shè)計方式	系統(tǒng)采用一一對應(yīng)控制方式設(shè)計，每個試驗通道老化試驗板對應(yīng)一塊ARM芯片控制的控制檢測板。任意單元的故障不影響其它正常試驗單元的工作；
容量變化	單板檢測工位數(shù)為40工位，單工位根據(jù)用戶實際使用需要可并聯(lián)1-3個器件進(jìn)行多倍容量擴容，擴容后，并聯(lián)工位檢測總漏電流；由于諸多不確定性比如socket的尺寸，單板老化的實際安裝工位需在實際設(shè)計生產(chǎn)過程中確定。
高溫試驗箱
溫度范圍	RT~200℃
溫度偏差	≤±1.5℃（空載）
溫度均勻性	≤±2℃（空載，有效試驗空間內(nèi)）
溫度波動性	≤±0.5℃
溫度過沖	≤3℃
控制方式	上位機程控＋面板手動控制
溫度記錄	計算機實時檢測、記錄試驗箱溫度，描述全過程試驗溫度曲線；
保護(hù)功能	超溫保護(hù)、報警裝置和漏電保護(hù)裝置；超溫報警時，系統(tǒng)應(yīng)能切斷試驗電源及高溫試驗箱的供電電源；
老化試驗電源
配置	系統(tǒng)標(biāo)為每個電源試驗區(qū)配置一臺1200W高低壓試驗電源，5V~300V電源，8塊板/40顆
電源分辨率及輸出精度	電源電壓量程≤20V	分辨率為0.001V；電壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB
	電源電壓量程≤200V	分辨率為0.01V；壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB
	電源電壓量程≤2000V	分辨率為0.1V；輸出顯示精度≤0.1%+2LSB
電壓檢測	電壓檢測范圍	0.0～1000V
	電壓檢測分辨率	0.1V
	電壓檢測精度	±（0.5% rdg.+ 1LSB )
反向電流檢測	反向電流檢測范圍	0.1μA～50mA
	反向電流計量起始點	0.5μA
	反向電流分辨率	0.1μA
	反向電流檢測精度	±（1% rdg.+0.1）μA